温室高山植物栽培基质
- 专利权人:
- 中国科学院武汉植物园
- 发明人:
- 刘宏涛,宋利平,袁玲
- 申请号:
- CN201610078159.4
- 公开号:
- CN105519378A
- 申请日:
- 2016.02.04
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 张云花
- 摘要:
- 本发明公开了一种温室高山植物栽培基质,从下至上依次铺设四层不同的基质,具体包括:基础层,其为石英、长石、云母、高岭石和花岗岩中一种或几种组合的混合物,所述基础层的厚度为30-50cm,粒径大小为1-5cm;原土层,其为高山草甸土或亚高山草甸土制得,所述原土层的厚度为30-60cm;营养层,其为有机质、无机矿物质、无机肥和微生物菌肥的混合物,所述营养层的厚度为30-120cm;以及覆盖层,其为蛭石和/或火山岩组成,所述覆盖层的厚度为3-5cm。本发明的温室植物栽培基质易于生产,成本较低,应用于栽培温室景观高山植物能显著提高其移栽成活率。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心