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Ausgangskombination von Transistoren in MRI-RFPAs
专利权人:
Siemens Healthcare GmbH
发明人:
Adam Albrecht
申请号:
DE102014226664
公开号:
DE102014226664A1
申请日:
2014.12.19
申请国别(地区):
DE
年份:
2016
代理人:
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Leistungselektronikbaueinheit für einen Verstärker (RFPA, Vx, Vy, Vz) eines bildgebenden MRT-System (101),mit mindestens einer Leiterplatte (PCB),auf der mehrere Transistoren (EPC2010) angeordnet sind,wobei Anschlüsse (drain, source) von Transistoren durch elektrisch leitende Verbindungen (Vb) miteinander verbunden sind,wobei die Transistoren alle auf einer Seite einer Leiterplatte (PCB) angeordnet sind, und wobei auf der gegenüberliegenden Seite der Leiterplatte (PCB) eine insbesondere zu den Verbindungen (Vb) zumindest in Abschnitten (Abs) parallele Ausgangsleitung (AI) verläuft, die mit oder ohne weitere zwischengeschaltete Elemente (Balun) mit Sendespulen (108) des MRT (101) verbindbar oder verbunden ist.The invention relates to a power electronics unit for an amplifier (rfpa, vx, vy, sv) of an imaging mrt - a system (101),with at least one printed circuit board (pcb),on which a plurality of transistors (epc2010) are arranged,wherein connections (drain, source) of transistors by means of electrically conductive connections (vb) are connected to one another,the transistors all on one side of a printed circuit board (pcb) are arranged, and wherein on the opposite side of the printed circuit board (pcb), in particular to the compounds (vb) at least in sections, (abs) runs parallel output line (ai), with or without further intermediate elements (balun) with transmitting coils (108) of the mrt (101) is connected or can be connected.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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