Dirk Wandke,Leonhard Trutwig,Mirko Hahnl,Karl-Otto Storck,Matthias Kopp
申请号：
DE102015117715
公开号：
DE102015117715A1
申请日:
2015.10.19
申请国别(地区):
DE
年份:
2017
代理人:
摘要：
Bei einer Elektrodenanordnung für eine dielektrisch behinderte Plasmabehandlung einer als Gegenelektrode verwendeten Oberfläche eines elektrisch leitenden Körpers, mit einer flexiblen flächigen Elektrode (1) und einem Dielektrikum (2) aus einem flächigen flexiblen Material, das mit einer einen direkten Stromfluss verhindernden Schicht (3) die Elektrode (1) von der zu behandelnden Oberfläche abschirmt, wobei das Dielektrikum (2) über eine Struktur mit Vorsprüngen, auf der zu behandelnden Oberfläche aufliegen kann und dabei zwischen den Vorsprüngen Lufträume für die Ausbildung des Plasmas ausgebildet sind, wird insbesondere die Herstellbarkeit dadurch verbessert, dass die Struktur eine Gitterstruktur (6) aus aneinander angrenzenden Wänden (7, 8) ist, die zahlreiche, die Lufträume ausbildende Kammern (9) begrenzen und dass die Kammern (9) einen bodenseitigen Abschluss durch die den direkten Stromfluss verhindernde Schicht (3) des Dielektrikums (2) und eine zur behandelnden Oberfläche offene Seite aufweisen, deren Anlagefläche an der zu behandelnden Oberfläche aus Endkanten (10) der Wände (7, 8) der Gitterstruktur (6) besteht.In an electrode arrangement for a dielectrically hindered plasma treatment of a surface used as a counter electrode of an electrically conductive body, comprising a flexible planar electrode (1) and a dielectric (2) of a sheet-like flexible material, the with a direct current flow preventing layer (3) Shielding electrode (1) from the surface to be treated, the dielectric (2) being able to rest on the surface to be treated via a structure with projections and air spaces for the formation of the plasma being formed between the projections, improves the manufacturability in particular in that the structure is a lattice structure (6) of adjoining walls (7, 8) delimiting numerous chambers (9) forming air spaces, and in that the chambers (9) have a bottom termination by the direct current flow preventing layer (3 ) of the dielectric (2) and an O to b
