一种高电位疏水性多肽单层膜及其制备方法与应用
- 专利权人:
- 齐鲁工业大学
- 发明人:
- 班青,张震,马慧君,许静,李天铎
- 申请号：
- CN202010753465.X
- 公开号：
- CN111888525B
- 申请日:
- 2020.07.30
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种具有表面高电位且疏水性的多肽单层膜及其制备与应用，所述多肽是由分子量为(1.48±0.2)×105g/mol的多肽分子构成的，单层膜的厚度为在17.3～18.5nm，膜表面的伯氨基暴露量为11～11.8％，多肽单层膜的Zeta电位为‑3～‑2mV；所述膜的接触角为84±1°。该多肽单层膜表面具有微纳结构使得其具有一定的疏水性能，有利于生物仿生皮肤表面防水。且该多肽单层膜表面具有较高的电位，能够提高生物相容性、血液相容性和细胞的粘附、增殖和分化能力。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
