PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a grid for photographing a radiation image having a high aspect ratio and uniform width.SOLUTION: A seed layer 22 is patterned on a translucent substrate 21 and a negative resist layer 34 is formed on the seed layer 22. Then, exposure light is applied from the lower side of the translucent substrate 21 to expose the resist layer 34 by using the seed layer 22 as a photomask. Then, a groove part 35 is formed on the seed layer 22 by development treatment and an anti-reflection film 36 is formed so as to cover the groove part 35. Then, an X-ray absorbing material 37 is implanted in the groove part 35 by a plating method and the whole surface is polished and flattened by a CMP method. Then, a new negative resist layer is formed on the flattened surface and steps mentioned above are repeated. In the following steps, the resist layer 34 is exposed by using the seed layer 22 and the X-ray absorbing material 37 as a photomask, and by preventing reflection of exposure light by the anti-reflection film 36, the resist layer 34 is exposed by exposure light of high straightness.COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT【課題】高アスペクト比で、かつ幅が均一な放射線画像撮影用グリッドを提供する。【解決手段】透光性基板21上にシード層22をパターン形成し、この上にネガ型のレジスト層34を形成する。次いで、透光性基板21の下側から露光光を照射し、シード層22をフォトマスクとしてレジスト層34を露光する。次いで、現像処理によりシード層22上に溝部35を形成し、この溝部35を覆うように反射防止膜36を形成する。そして、メッキ法により溝部35にX線吸収材37を埋め込み、CMP法により表面全体を研摩して平坦化する。この後、平坦化された表面に、新たにネガ型のレジスト層を形成し、上記工程を繰り返す。以下の工程では、シード層22及びX線吸収材37がフォトマスクとしてレジスト層の露光が行われるが、反射防止膜36が露光光の反射を防止することにより、該レジスト層は、直進性の高い露光光で露光される。【選択図】図5
