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一种用于单膜层LTCC内埋腔体结构的制造方法
- 专利权人:
- 中国电子科技集团公司第五十四研究所
- 发明人:
- 严英占,唐小平,卢会湘,党元兰,赵飞,李攀峰,冯子卉,武云超
- 申请号：
- CN201410125711.1
- 公开号：
- CN103922869A
- 申请日:
- 2014.03.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 王文庆
- 摘要：
- 本发明公开了一种用于单膜层LTCC内埋腔体结构的制造方法，属于微机械结构制造领域，主要包括：将叠好的腔基底层和腔壁层进行第一次层压处理，单独对腔膜层对进行层压处理，将第一次层压后的腔基底层和腔壁层与进行层压处理后的腔膜层进行层叠和层压处理，最后应用LTCC共烧炉对进行合体层压处理后层叠基片再进行共烧处理。本发明的优点是在内埋腔的制造阶段不需要牺牲层材料，其利用“不同压力层压后的LTCC单膜层瓷片与多层基板之间在烧结成瓷阶段体现的收缩失配特性”，通过控制单模层在层压阶段所经受的压强，使单膜层的收缩率大于多层基板的收缩率，从而实现平整的单膜层表面。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
