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一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法
- 专利权人:
- 北京大学
- 发明人:
- 王健,马铮,刘易,赵弇斐,王慧超
- 申请号：
- CN201310412512.4
- 公开号：
- CN103454602B
- 申请日:
- 2013.09.11
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 王岩
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法。本发明的磁场测量计包括：探头和分析器；其中，探头为平板状的拓扑绝缘体；分析器为磁阻信号分析器；磁场的方向垂直于拓扑绝缘体的表面；在拓扑绝缘体的表面设置有一对电流电极和一对磁阻电极，电流电极和磁阻电极在同一个方向上；磁阻电极与磁阻信号分析器相连接。拓扑绝缘体对温度不敏感，可在很大范围内使用。本发明极大地拓宽了传统的探头的磁场探测区间，并且在低温区仍工作良好，非常适合极端条件下的实验室研究，如医学中的核磁共振成像，军事中电磁脉冲弹效果的测量，以及航天中极低宇宙温度与等离子体风暴的强场等；同时结合霍尔效应，在传统领域的应用也游刃有余。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
