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一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置
- 专利权人:
- 北京机械设备研究所
- 发明人:
- 陈远方,张利剑,段彦军
- 申请号：
- CN201710224420.1
- 公开号：
- CN106963376B
- 申请日:
- 2017.07.04
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置,包括电极顶盖(10)、第一缓冲弹簧(30)、第二缓冲弹簧(40)、第一储液池单元、第二储液池单元和电极触点圆柱(90);第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面,下端固定于储液池单元上,且同轴安装,第二缓冲弹簧(40)的直径大于第一缓冲弹簧(30)的直径;储液池单元下方均布有多个电极触点圆柱(90),且内部连通。本发明通过独立分圈缓冲结构有效解决因头部颠簸、振动所引起的电极与头皮接触不稳和运动伪迹;通过导电液体自动补给加注结构,保证电极触点圆柱作为电极的低阻抗特性和长时间连续使用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
