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半導体用ガスを低減および精製するための、ならびに炭化水素流から水銀を除去するための多孔質高分子
- 专利权人:
- ヌマット テクノロジーズ，インコーポレイテッド
- 发明人:
- シウ，ポール ワイ−マン,ウェストン，ミッチェル ヒュー
- 申请号：
- JP20170529825
- 公开号：
- JP2018500157(A)
- 申请日:
- 2015.12.02
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 金属有機構造体（ＭＯＦ）および多孔質有機高分子（ＰＯＰ）を含む多孔質材料であって、（ａ）半導体用ガス含有流出物中の半導体用ガスを実質的に除去または低減するために、半導体用ガスとの反応性もしくは半導体用ガスに対する吸着親和性を備えるか、または（ｂ）半導体用ガス流から汚染物質を実質的に除去し、かつ半導体用ガスの純度を高めるために、半導体用ガス流中の汚染物質との反応性もしくは半導体用ガス流中の汚染物質に対する吸着親和性を備えるか、または（ｃ）炭化水素流中の微量水銀汚染物質を実質的に除去し、かつ炭化水素流の純度を高めるために、当該水銀汚染物質との反応性もしくは当該水銀汚染物質に対する吸着親和性を備える、多孔質材料。ＭＯＦは、金属イオンと多座有機配位子との配位生成物であるのに対し、Ｐ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
