高密度低エネルギープラズマによる半導体表面の界面処理
- 专利权人:
- アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
- 发明人:
- ナイナニ アニーシュ,ゾープ ブシュナン エヌ,ドルフ レオニッド,ラウフ シャヒッド,ブランド アダム,アブラハム マシュー,デシュムク サブハッシュ
- 申请号：
- JP20160518438
- 公开号：
- JP2017504176(A)
- 申请日:
- 2014.09.04
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- Ｇｅ又はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を含む半導体表面のソフトプラズマ表面処理において、電子ビームプラズマ源が使用される。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
