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一种低温等离子体激活麻豌豆种子的方法
专利权人:
东华大学
发明人:
刘亚男,高小婷,张艾,李响,王慈浩,张晗,战佳勋,沈雪,郝思宇,李振宇,朱大海,王前程,黄柯靓,赵婧怡,李康琪,沈玉叶
申请号:
CN201811139686.7
公开号:
CN109041651A
申请日:
2018.09.28
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
翁若莹`王文颖
摘要:
本发明公开了一种低温等离子体激活麻豌豆种子的方法,其特征在于,将选取的麻豌豆种子平铺在双介质阻挡放电等离子体装置中,开启高压电源,调节放电功率,固定放电时间,对麻豌豆种子进行放电激活;将激活的麻豌豆种子放置在水中浸泡;将麻豌豆种子从水中取出,置于培育盆中,覆盖育苗纸,置于阴暗环境下,待出根长度达到2‑3厘米后即可见光;将低温等离子体激活的种子用水浇灌进行培养,每日浇灌两次,并每日给予光照。本发明与现有技术相比,能够利用低温等离子体能量激活种子自身能量,使发芽率提高,植物产量增加。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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