一种基于三维掺氮石墨烯/二硫化钼的γ‑干扰素适体电极及其制备方法与应用

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专利权人:

青岛大学

发明人:

王宗花,鹿林,桂日军,金辉,夏建飞

申请号：

CN201610137834.6

公开号：

CN105784819B

申请日:

2016.03.11

申请国别(地区):

中国

年份:

2018

代理人:

赵妍

摘要：

本发明公开了一种基于三维掺氮石墨烯/二硫化钼的γ‑干扰素适体电极及其制备方法与应用。氮掺杂石墨烯/二硫化钼复合物(3D G‑N/MoS₂)在溶液中带负电荷，辣根过氧化物酶(HRP)在溶液中带正电荷，通过静电吸引作用力结合成辣根过氧化物酶/氮掺杂石墨烯/二硫化钼复合物(HRP/3D G‑N/MoS₂)。γ‑干扰素适体ssDNA通过静电吸引与π‑π分子间作用力与HRP/3D G‑N/MoS₂结合，形成ssDNA/HRP/3D G‑N/MoS₂/GCE适体修饰电极。该适体电极对γ‑干扰素的线性检测范围为10^‑14‑10^‑9M，最低检测限为3.3×10^‑15M。实际样品的测定结果表明，该方法具有很好的适用性。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/