The present invention relates to a nerve electrode and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a porous nano structure An iridium oxide layer formed on the structure, and a method of manufacturing the same. The present invention can improve the electrode efficiency by increasing the charge injection limiting capacity and the like.본 발명은, 신경전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 다공성 나노구조체 상기 구조체 상에 형성된 이리듐 산화물층을 포함하는 신경전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 전하주입제한 용량 등을 증가시켜 전극 효율을 향상시킬 수 있다.
