反応性ガス発生システム及び反応性ガスを使用する処理方法
- 专利权人:
- ナノガード テクノロジーズ， エルエルシーＮＡＮＯＧＵＡＲＤ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ， ＬＬＣ
- 发明人:
- キーナー ケヴィン エム．,ホックワルト マーク エー．
- 申请号：
- JP20180520174
- 公开号：
- JP2018533405(A)
- 申请日:
- 2016.10.19
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 製品又は表面を反応性ガスで処理する方法は、作動ガスから高電圧低温プラズマ（ＨＶＣＰ）を形成することにより反応性ガスを製造するステップと、ＨＶＣＰから少なくとも５ｃｍ離して反応性ガスを輸送するステップと、次いで、製品又は表面を反応性ガスに接触させるステップとを含む。ＨＶＣＰは、製品又は表面と接触しない。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
