一种霍山石斛类原球茎快速增殖的简易培养基及其制备方法
- 专利权人:
- 合肥工业大学
- 发明人:
- 罗建平,潘利华,杨雪飞,查学强
- 申请号：
- CN201010266070.3
- 公开号：
- CN101911913B
- 申请日:
- 2010.08.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 金惠贞
- 摘要：
- 本发明公开了一种霍山石斛类原球茎快速增殖的简易培养基及其制备方法。该培养基的配方为：改良的1/2MS培养基+食品级白砂糖+土豆。霍山石斛类原球茎在该简易培养基种生长良好，培养35天其平均生长量为0.672g/d，达到实验室中所用的经典MS培养基的1.37倍。该培养基的主要原料白砂糖和土豆价廉易得，其他成分用量小，制作方法简易，成本低廉，可以广泛用于霍山石斛类原球茎研究、开发和生产中的各个领域，尤其适合霍山石斛类原球茎的工业化大规模培养。本发明进一步促进了土豆的开发利用，具有显著的经济和社会意义。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
