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임플란트 및/또는 상기 임플란트에 속하는 유닛을 갖는배치물, 및 임플란트 및/또는 유닛의 제조 방법
专利权人:
发明人:
홀, 얀
申请号:
KR1020067013842
公开号:
KR1011560750000B1
申请日:
2004.12.06
申请国别(地区):
KR
年份:
2012
代理人:
摘要:
An implant (5, 13) and/or a unit (9), e.g. spacer sleeve, belonging to said implant is/are intended to extend through a hole (4') formed in a jaw bone (2) and through soft tissue (3) belonging to the jaw bone and to comprise one or more outer layers of principally titanium dioxide. Each layer consists of crystalline titanium dioxide which largely or completely assumes the anatase phase. The invention also relates to a method for production of such a dental implant (5, 13) and/or of a unit (9) belonging to it, which has one or more outer layers of titanium dioxide. The method is an anodic oxidation method in which the part or parts bearing the outer layer(s) is/are applied to electrolyte under voltage, e.g. comprising sulfuric acid and phosphoric acid, and the voltage (U) and the dwell time of the part or parts in the electrolyte are chosen such that titanium dioxide, largely or completely assuming the crystalline anatase phase, is formed. Excellent bone guidance and soft tissue integration can be achieved in this way.임플란트(5, 13) 및/또는 상기 임플란트에 속하는 유닛(9), 예를 들어 스페이서 슬리브는, 턱뼈(2)에 형성되어 있는 구멍(4')을 통해 그리고 턱뼈에 속하는 연조직(3)을 통해 연장되고, 주로 이산화티탄인 하나 이상의 외층을 포함한다. 각 층은 주로 또는 완전히 아나타제(anatase) 상을 취하는 결정질 이산화티탄으로 구성된다. 본 발명은 또는 이러한 치아 임플란트(5, 13) 및/또는 이에 속하는 유닛(9)의 제조 방법에 관한 것으로, 이는 하나 이상의 이산화티탄 외층을 갖는다. 이 방법은, 외층(들)의 일부 또는 일부들이 예를 들어 황산 및 인산을 포함하는 전압 하의 전해질에 적용되는 양극 산화법이며, 전압(U) 및 전해질 내 일부 또는 일부들의 머무름 시간은, 주로 또는 완전히 결정질 아나타제 상을 취하는 이산화티탄이 형성되도록 선택된다. 이런 방식으로 우수한 뼈 유도(guidance) 및 연조직 일체화가 얻어질 수 있다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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