多孔質シリコン
- 专利权人:
- サイメデイカ リミテツド
- 发明人:
- キヤナム,リー・トレバー,ロニ,アーマンド
- 申请号：
- JP2012543911
- 公开号：
- JP2013514252A
- 申请日:
- 2010.12.16
- 申请国别(地区):
- JP
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- A method for producing a porous silicon using a chemical etching solution containing metal ions, are described.金属イオンを含む化学エッチング液を使用して多孔質シリコンを製造する方法が、記載される。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
