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一种菊花脱毒苗的培养方法
专利权人:
浙江海丰花卉有限公司
发明人:
左李娜,刘丹,王容,吴海峰,陈天烺,王俊青,赵鹏霞,陈炜,赫文韬
申请号:
CN202010453756.7
公开号:
CN111528092A
申请日:
2020.05.26
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
本发明公开了一种菊花脱毒苗的培养方法。所述方法包括如下步骤:(1)将感染病毒的小菊进行预脱毒处理,得到预脱毒小菊;(2)将所述预脱毒小菊的茎段依次在不定芽诱导培养基和增殖培养基中进行培养,得到无菌苗;(3)将所述无菌苗进行热处理,得到热处理后无菌苗;(4)将从所述热处理后无菌苗上剥离的茎尖在CHR‑1培养基中进行培养,直至得到长为0.8‑1.0mm的茎尖;(5)将所述长为0.8‑1.0mm的茎尖在茎尖分化培养基中进行培养,得到小菊植株。通过实验证明:按照本发明方法获得的小菊植株的脱毒率可达92.5%,该方法在培育菊花脱毒苗中具有良好的应用的前景。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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