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一种微型高密度阵列自由曲面电极及其制造方法
专利权人:
杭州暖芯迦电子科技有限公司
发明人:
杨旭燕,吴昭,杨佳威
申请号:
CN201910646974.X
公开号:
CN112237682A
申请日:
2019.07.17
申请国别(地区):
CN
年份:
2021
代理人:
摘要:
一种微型高密度阵列自由曲面电极,包括基底和若干个电极柱;所述的基底包括焊接面和刺激面;所述的电极柱包括柱头和柱尾;所述的电极柱贯穿基底,柱尾与焊接面呈一个平面,柱头凸出于刺激面。常见的神经刺激电极其电极柱尾部往往设在基底内部,然后再从基底内部引出导线与刺激芯片连接。本发明采用的贯穿式电极结构相较现有结构,在制作上更加方便,适合大批量制作,而且电极柱的柱尾裸露在基底的焊接面,使得刺激芯片的管脚可以和电极柱直接连接,省去了导线,简化了制作工艺。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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