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reduced wound healing system
专利权人:
HYPOSKIN APS
发明人:
JENS ULRIK FELDING
申请号:
BR112014012762
公开号:
BR112014012762A2
申请日:
2012.11.28
申请国别(地区):
BR
年份:
2017
代理人:
摘要:
patent summary: "system for reduced wound healing". The present invention relates to a system for reducing wound scarring; said system comprising: means (1) for creating a closed volume (3) along a wound site (2). The system further comprises: the means (6, 10, 11, 12) for actively reducing oxygen concentration within the closed volume on the wound surface to a first level of oxygen concentration while maintaining an environment in the wound. closed volume which is healthy for wound healing, means (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14) to ensure that the oxygen concentration of the gas composition of the wound gas within the enclosed volume on the wound surface is maintained below a second oxygen concentration level and above a third oxygen concentration level, and wherein said system is arranged such that said first, second and Third levels of oxygen concentration can range between 1 and 16 percent by volume.resumo patente de invenção: "sistema para cicatrização reduzida de feridas". a presente invenção refere-se a um sistema para reduzir as cicatrizes de feridas; o dito sistema que compreende: o meio (1) para a criação de um volume fechado (3) ao longo de um local de ferida (2). o sistema compreende ainda: os meios (6, 10, 11, 12) para reduzir ativamente a concentração de oxigênio no interior do volume fechado na superfície da ferida para um primeiro nível de concentração de oxigênio, ao mesmo tempo em que mantém um ambiente no interior do volume fechado que é saudável para a cicatrização da ferida, os meios (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14) para assegurar que a concentração de oxigênio da composição de gás do gás no interior do volume fechado na superfície da ferida seja mantida abaixo de um segundo nível de concentração de oxigênio e acima de um terceiro nível de concentração de oxigênio, e em que o dito sistema está disposto de tal modo que os ditos primeiro, segundo e terceiro níveis de concentração de oxigênio podem variar entre 1 e 16 por cento em volum
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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