An applicator for RF energy delivered through a skin surface, comprising: a base (18, 18 ") a first electrode (22, 22 , 22") connected to the base of the applicator (18, 18 ") and which I extends from the applicator base (18, 18") wherein said first electrode is adapted to, in use, extend from said base nozzle toward a first location (46) of the surface of the skin ( 14) and a first semiconductor cap (30, 30 , 30 ", 30") disposed at a first distal end (34) of the first electrode (22, 22 , 22 ") being configured first semiconductor cap (30, 30 , 30 ", 30") for, in use, contacting the first location (46) of the skin surface (14), wherein the RF energy is supplied from the first electrode (22, 22 , 22 ") through the first semiconductor cap (30, 30, 30", 30 " ) through the skin surface (14), and wherein the first semiconductor cap (30, 30 , 30 ", 30") has an electrical conductivity of about 0.03 S / m to about 3.0 S / m and a thermal conductivity of about 5 W / m. ° C at about 500 W / m. ° C.Un aplicador para energía de RF entregada a través de una superficie de la piel, que comprende: una base (18, 18") un primer electrodo (22, 22, 22") conectado a la base del aplicador (18, 18") y que se extiende desde la base del aplicador (18, 18") en el que dicho primer electrodo está adaptado para, en uso, extenderse desde dicha base de aplicador hacia una primera ubicación (46) de la superficie de la piel (14) y una primera tapa semiconductora (30, 30, 30", 30") dispuesta en un primer extremo distal (34) del primer electrodo (22, 22, 22"), estando configurada la primera tapa semiconductora (30, 30, 30", 30") para, en uso, ponerse en contacto con la primera ubicación (46) de la superficie de la piel (14) en el que la energía de RF se suministra desde el primer electrodo (22, 22, 22") a través de la primera tapa semiconductora (30, 30, 30", 30") a través de la superficie de la piel (14), y en el que la primera tapa semiconductora (30, 30, 30", 30") tiene una conductividad eléctrica
