Die Erfindung betrifft ein Halbleiterelement (1) mit einem Halbleitermaterial (5) auf CdTe-Basis und mit einer Anzahl von Verbindungsstellen (10) des Halbleiterelements (1) zu Elektronikbauteilen, wobei die Verbindungsstellen (10) mit einer speziellen Lötstopplage (20) versehen sind, die eine Mischung AB aus mindestens zwei Metallen mit unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten umfasst. Außerdem betrifft die Erfindung einen Strahlungsdetektor (50) mit einem solchen Halbleiterelement (1) und optional mit einer Auswerteelektronik (13) zum Auslesen eines Detektorsignals, sowie ein medizintechnisches Gerät (70) mit einem solchen Strahlungsdetektor (50). Weiterhin wird ein Verfahren zum Erzeugen eines Halbleiterelements (1) beschrieben, welches den Schritt des Aufbringens einer Lötstopplage (20) auf Verbindungsstellen (10) umfasst, wobei die Lötstopplage (20) eine Mischung AB aus mindestens zwei Metallen mit unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten umfasst.The invention relates to a semiconductor element (1) with a semiconductor material (5) based on CdTe and with a number of connection points (10) of the semiconductor element (1) to electronic components, the connection points (10) being provided with a special solder stop layer (20) , which comprises a mixture AB of at least two metals with different coefficients of expansion. The invention also relates to a radiation detector (50) with such a semiconductor element (1) and optionally with evaluation electronics (13) for reading out a detector signal, and to a medical device (70) with such a radiation detector (50). Furthermore, a method for producing a semiconductor element (1) is described, which comprises the step of applying a solder stop layer (20) to connection points (10), the solder stop layer (20) comprising a mixture AB of at least two metals with different expansion coefficients.
