磁共振成像装置及其制造方法
- 专利权人:
- 三星电子株式会社
- 发明人:
- 郭俊硕,金晟日,崔胜齐
- 申请号：
- CN201310400686.9
- 公开号：
- CN103654783A
- 申请日:
- 2013.09.05
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种磁共振成像（MRI）装置和制造方法，该MRI装置包括设置在梯度线圈单元的最外部分或最内部分的匀场体。该MRI装置包括：静磁场线圈单元，配置用于在目标中形成静磁场；和梯度线圈单元，配置用于在静磁场中形成梯度场，其中梯度线圈单元包括在最外部分或最内部分的一个或多个匀场体。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
