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一种抗电磁干扰的脑电帽
专利权人:
脑云(常州)医疗科技有限公司
发明人:
陈禹函,焦迪恺,王铮
申请号:
CN201921665107.2
公开号:
CN211381339U
申请日:
2019.09.30
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
本发明公开了一种抗电磁干扰的脑电帽,包括:帽体,采用医疗用品橡胶带制成;盘状电极,盘状电极由铜镀氯化银制成,电势稳定,信号稳定,盘状电极设有空腔,与皮肤接触面积小,可以降低信号采集过程给人带来的压迫感和皮肤刺痛感;抗电磁干扰的导线,穿过脑电帽上的固定孔连接盘状电极,导线被新型屏蔽保护套包裹,有效降低来自外部环境的电磁信号的干扰,信号传递稳定。本发明相较于传统脑电帽,帽体设计根据人体工学三维头部模型,在研究了大量临床病理实例的基础上,按国际10‑20系统电极位设计标准将盘状电极置于检测脑电波所需检测的穴位上。导线被一种新型屏蔽保护套包裹,可以有效地降低来自外部环境的电磁信号等的干扰,信号传递更稳定。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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