高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法
- 专利权人:
- 哈尔滨理工大学
- 发明人:
- 翁凌,鞠培海,刘立柱,张笑瑞
- 申请号：
- CN201510710127.7
- 公开号：
- CN105235343B
- 申请日:
- 2015.10.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 陈晓光
- 摘要：
- 本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
