改变根系生长的方法
- 专利权人:
- 纳幕尔杜邦公司;设计技术及灌溉有限公司
- 发明人:
- M·C·汤金,M·A·杨,O·N·基尔赫纳,C·W·卡希尔
- 申请号：
- CN00811410.2
- 公开号：
- CN1200602C
- 申请日:
- 2000.08.03
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2005
- 代理人:
- 张元忠`姜建成
- 摘要：
- 提供了一种改变植物根系生长的方法，其中，所述根系是在一个膜的附近生长，在根系生长期间水分从所述膜释放，其中，所述膜是疏水性有孔膜或亲水性无孔膜。所述方法还可用于收集从植物根系中渗出的材料，这一目的是这样实现的：让所述植物根系在由一种膜包围的生长介质中生长，使得水分能够从所述膜中释放到生长介质中，而从植物根系中渗出的材料由所述膜保留在生长介质中，其中，所述膜是疏水性有孔膜或亲水性无孔膜。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
