优化用于短期半球脑监测的帽状腱膜下电极阵列的床边插入和记录功能的系统和方法
- 专利权人:
- 爱思神经系统公司
- 发明人:
- 罗纳德·埃默森,艾伦·瓦兹瑞
- 申请号：
- CN201980069966.1
- 公开号：
- CN113271856A
- 申请日:
- 2019.10.21
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明包含允许实现为了放置在帽状腱膜下空间内以记录脑电活动而设计的可植入电极阵列的微创插入和功能优化的系统和方法。可植入阵列包括能够被植入在帽状腱膜下空间中并且包括至少一个参考元件的支撑结构；至少一个地元件；以及一个或多个记录元件；并且其中，所述阵列能够检测和/或发送帽状腱膜下电信号。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
