一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法
- 专利权人:
- 中山大学;佛山市中山大学研究院
- 发明人:
- 王钢,李健,王杰,陈梓敏,范冰丰,马学进
- 申请号：
- CN201610850215.1
- 公开号：
- CN106521459B
- 申请日:
- 2016.09.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 顿海舟`李唐明
- 摘要：
- 本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法，将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来，利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优，找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量，从而节省人力物力，同时节省时间成本。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
