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一种可植入的无酶传感器电极材料及无酶传感器
专利权人:
北京深纳普思人工智能技术有限公司
发明人:
赵平,王智华
申请号:
CN202211558704.1
公开号:
CN115568850A
申请日:
2022.12.06
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
本发明提供了一种可植入的无酶传感器电极材料及无酶传感器,属于生物传感器技术领域。所述电极材料为核壳结构,核芯包括过渡金属和/或过渡金属化合物,所述核芯表面分布有贵金属,壳体包括导电组合物,所述导电组合物为导电聚合物和导电无机物的组合。所述电极材料为三元复合材料,既具有催化活性,也具有较好的导电性和生物相容性;而且所述电极材料具有核壳结构,活性中心不易受到Cl‑的影响,所制作的无酶传感器不易发生钝化,具备可植入、可长期监测的特点。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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