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一种旱地大豆全膜双垄沟侧播结构
专利权人:
发明人:
张彩霞,谯显明,李丽萍,郭烨,李兴虎,金艳红,高荣霞,徐丽娜,谯永刚
申请号:
CN202222098274.1
公开号:
CN218456921U
申请日:
2022.08.10
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
本实用新型公开的属于大豆全膜双垄沟侧播技术领域,具体为一种旱地大豆全膜双垄沟侧播结构,包括大垄,两个所述大垄之间设置有小垄,所述大垄与小垄之间形成有垄沟,所述小垄的左右两侧均开设有播种孔,所述大垄、小垄和垄沟之间覆盖有薄膜,所述薄膜位于垄沟上侧设置有填土,所述填土的侧壁上开设有卡槽,所述卡槽的内部设置有导流半管,首先通过卡槽的设置可以方便固定导流半管放置的位置,这样可以达到固定安装的效果,这样在雨量过大的情况下可以使水顺着导流半管流出,从而减小垄沟间的积水量,避免造成水量过多而影响大豆生长,保持良好的生成环境,降低对大豆出苗影响。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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