一种降低阻抗的经颅电刺激电极传感器

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专利权人:

北京华脑技术发展有限公司

发明人:

唐再汐,赵建军

申请号：

CN202220924970.0

公开号：

CN218187544U

申请日:

2022.04.20

申请国别(地区):

CN

年份:

2023

代理人:

摘要：

本实用新型提供一种降低阻抗的经颅电刺激电极，包括电极杯盖、片状电极和电极杯，所述电极杯的底部设置有环状支撑结构，用于放置片状电极，所述片状电极的顶部连接有引出的电极线，所述电极杯盖扣合在电极杯上。所述降低阻抗的经颅电刺激电极传感器，经颅电刺激时能够降低片状电极和头皮的阻抗，提高刺激效果，在脑电采集时降低片状电极和头皮的阻抗，提高信号质量。本实用新型结构简单，灵敏度高，使用方便，也减少了脑电膏的使用，减少成本。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/