Methods are described for forming CIGS absorber layers in TFPV devices with graded compositions and graded band gaps. Methods are described for utilizing Ag to increase the band gap at the front surface of the absorber layer. Methods are described for utilizing Al to increase the band gap at the front surface of the absorber layer. Methods are described for utilizing at least one of Na, Mg, K, or Ca to increase the band gap at the front surface of the absorber layer.Linvention concerne des procédés de formation de couches dabsorbeurs CIGS dans des dispositifs photovoltaïques en couches minces avec des compositions classées et des largeurs de bande interdite classées. Linvention concerne également des procédés dutilisation dAg pour augmenter la largeur de bande interdite au niveau de la surface avant de la couche dabsorbeur. Linvention concerne également des procédés dutilisation dAl pour augmenter la largeur de bande interdite au niveau de la surface avant de la couche dabsorbeur. Linvention concerne enfin des procédés dutilisation dau moins Na, Mg, K ou Ca pour augmenter la largeur de bande interdite au niveau de la surface avant de la couche dabsorbeur.
