一种二维阵列三维成像换能器及其制造方法
- 专利权人:
- 古伦勇;刘义春
- 发明人:
- 古伦勇,刘义春
- 申请号：
- CN201110026494.7
- 公开号：
- CN102151150B
- 申请日:
- 2011.01.25
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种二维阵列三维成像换能器及其制造方法。所述的换能器包括：压电晶片（1）；依次粘接在所述压电晶片的地电极面上的第一匹配层（2）和第二匹配层（3）；在所述压电晶片上切割出的纵横正交的二维阵列；地电极连接导线（6）；FPC板（8）；和PCB板（9），所述的FPC板（8）逐层将压电晶片（1）的信号电极引线（7）与PCB板（9）的信号引线焊接点（16）焊接在一起，构成信号传输通路。本发明巧妙地引入FPC板，将阵列电极引线逐层焊接在PCB板上，待相关性能参数测试合格后灌注背衬材料与声透镜材料，极大地优化了工艺的可操作性，适合于批量生产作业。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
