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原位化学注入修复单井多层注入系统
专利权人:
上格环境科技(上海)有限公司
发明人:
许大伟,金学锋,张国华,孙海波,卢芳文
申请号:
CN201610488784.6
公开号:
CN106001092A
申请日:
2016.06.29
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
西江
摘要:
本发明公开了原位化学注入修复单井多层注入系统,包括主井管和多级副井管,所述主井管的直径大于副井管的直径,所述副井管的直径从上到下依次减小;所述主井管与副井管之间、副井管与副井管之间均设有井管变径接头;所述主井管的顶端设有顶盖,最后一级副井管的底端封堵一底盖;所述主井管和副井管的底端均设有一滤管段;所述注入系统还包括设在主井管或副井管内的注入组件,所述注入组件的上端与顶盖连接,下端封堵在井管变径接头处。与现有技术单一注入井管相比,本发明具有组装使用方便,成本经济,可对多污染含水层或存在梯级多层含水层污染或复合型污染的场地进行高效修复等优点。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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