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접촉력 센서 및 그 제조 방법
专利权人:
세미텍 가부시키가이샤
发明人:
마츠다테 타다시,이나무라 슈지
申请号:
KR1020157012649
公开号:
KR1020150135194A
申请日:
2014.03.18
申请国别(地区):
KR
年份:
2015
代理人:
摘要:
sensitivity and highly accurate force sensor and force sensor to provide the production method. Force sensor 5 is made by processing a silicon semiconductor material. Force sensor 5 is provided with a sensor structural body (6) having a base portion 611 and the contact force is formed in a direction orthogonal to the transmission of the base 611 612. It formed in the base portion 611 of the sensor structural body 6, and a stress-electric conversion element (7) for converting the displacement of the force transmission part (612) into an electrical signal.감도 및 정밀도가 높은 접촉력 센서 및 그 접촉력 센서 제조 방법을 제공한다. 접촉력 센서(5)는 실리콘 반도체 재료를 가공함으로써 만들어진다. 접촉력 센서(5)는 베이스부(611)와 이 베이스부(611)와 직교하는 방향으로 형성된 접촉력 전달부(612)를 갖는 센서 구성체(6)를 구비하고 있다. 센서 구성체(6)의 베이스부(611)에 형성되며, 상기 접촉력 전달부(612)의 변위를 전기 신호로 변환하는 응력 전기 변환 소자(7)를 구비하고 있다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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