相補的なスロット及びマイクロストリップ共振に基づいた再構成可能な放射位相シフトセル

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专利权人:

テールズ;アンスティテュ ナショナル デ シヤンス アプリケ デ レンヌ;サントル ナショナル ド ラ ルシェルシュ シアンティフィクＣＥＮＴＲＥ ＮＡＴＩＯＮＡＬ ＤＥ ＬＡ ＲＥＣＨＥＲＣＨＥ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＱＵＥ

发明人:

ルゲイ、エルベ,ジラール、エティエンヌ,ブレッシアーニ、ダニエル,ギラード、ラファエル,サルティ、ハッサン,マクディッシー、トニー,フーン、エルワン

申请号：

JP20120201096

公开号：

JP6116839(B2)

申请日:

2012.09.13

申请国别(地区):

日本

年份:

2017

代理人:

摘要：

The cell (200) has conducting elements (207, 209) formed on a surface of a substrate, where the conducting elements are separated by slits (202-204). Capacitive loads (206) vary the length and/or electric width of the slits. The conducting elements and loads are arranged so that a conducting surface of a microwave signal is formed in order to create a resonator with inductive dominance in a configuration, and one slit is formed around one conducting element to create a resonator with capacitive dominance in another configuration, where the conducting surface surrounds the conducting element. The capacitive loads are selected from one of diodes, microelectromechanical system (MEMS), or ferroelectric capacitors.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/