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两相流分相含率阻抗传感器及其结构参数的优化方法
- 专利权人:
- 天津大学
- 发明人:
- 王化祥,曹章
- 申请号：
- CN200710057709.5
- 公开号：
- CN101093207A
- 申请日:
- 2007.06.21
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2007
- 代理人:
- 吕志英
- 摘要：
- 本发明提供一种两相流分相含率阻抗传感器，该传感器包括有激励电极和测量电极，该传感器的横截面包括有外层结构、中间层、内层的结构层，外层结构层为起屏蔽作用的金属屏蔽层，当内层结构强度不够时，能够调整厚度以起到对结构支撑、耐压的作用；中间层结构层为绝缘物质层，将激励电极和测量电极与金属屏蔽层相隔离；内层结构层为绝缘管层及附着其外壁上的激励电极和测量电极，激励电极和测量电极在绝缘管层的管壁上径向对称按180度角螺旋分布。同时还提供一种基于上述传感器结构的结构参数的优化方法。本发明的有益效果是针对两相流相含率实时测量，提供一种阻抗式电学传感器，基于其解析模型，可进行结构参数的快速优化。属于非侵入式快速测量，测量范围拓宽，造价低。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
