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SYSTÈME POUR RÉDUIRE LES SÉQUELLES LIÉES À LA CICATRISATION DES BLESSURES
专利权人:
Hyposkin APS
发明人:
申请号:
EP12794702.6
公开号:
EP2785297A1
申请日:
2012.11.28
申请国别(地区):
EP
年份:
2014
代理人:
摘要:
A system for reduced scarring of wounds; said system comprising: means (1) for creating an enclosed volume (3) over a wound site (2). The system further comprises: means (6, 10, 11, 12) for actively reducing the oxygen concentration within the enclosed volume at the surface of the wound to a first oxygen concentration level while maintaining an environment within the enclosed volume which is healthy for wound healing, means (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14) for ensuring that the oxygen concentration of the gas composition of the gas within the enclosed volume at the surface of the wound is maintained below a second oxygen concentration level and above a third oxygen concentration level, and where said system is arranged such that said first, second and third oxygen concentration levels are between 1 and 16 volume percent.La présente invention concerne un système pour réduire les séquelles liées à la cicatrisation des blessures, ledit système comprenant un moyen (1) destiné à créer un volume fermé (3) par-dessus le site d'une blessure (2). Le système comprend également des moyens (6,10,11,12) destinés à réduire activement la concentration en oxygène à l'intérieur du volume fermé à la surface de la blessure à un premier niveau de concentration en oxygène tout en gardant un environnement sain à l'intérieur du volume fermé pour la cicatrisation de la blessure, des moyens (4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14) destinés à faire en sorte que la concentration en oxygène de la composition gazeuse du gaz à l'intérieur du volume fermé à la surface de la blessure soit maintenue en dessous d'un deuxième niveau de concentration en oxygène et au-dessus d'un troisième niveau de concentration en oxygène. De plus, ledit système selon l'invention est conçu de telle manière que lesdits premier, deuxième et troisième niveaux de concentration en oxygène représentent entre 1 et 16 pourcents du volume.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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