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CMOS A CMOS RING OSCILLATOR FOR BIOMEDICAL IMPLANTABLE DEVICE
专利权人:
CHOSUN UNIVERSITY;INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION
发明人:
최광석
申请号:
KR1020190046127
公开号:
KR1021369910000B1
申请日:
2019.04.19
申请国别(地区):
KR
年份:
2020
代理人:
摘要:
The present invention relates to a CMOS ring oscillator for a bio-implantable device, and more specifically, to accurately design and design a delay time for each stage of the ring oscillator in the process of designing a 9-stage CMOS ring oscillator in 180nm technology, and designing the above A 9-stage CMOS ring oscillator generates a high oscillation frequency of 403.5 MHz with a low power of 0.8827 V, resulting in a CMOS ring oscillator for low-power, low-cost bio-portable devices with improved average power consumption, phase noise, jitter and delay. It is about.본 발명은 생체 이식형 디바이스를 위한 CMOS 링 오실레이터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 180nm 기술에서 9 스테이지 CMOS 링 오실레이터를 설계하는 과정에서 링 오실레이터의 각 스테이지별 지연 시간을 정확하게 계산하여 설계하고, 상기 설계한 9 스테이지 CMOS 링 오실레이터를 통해 0.8827V의 저전력으로 403.5MHz의 높은 발진 주파수를 발생시킴으로써, 평균 전력 소비, 위상 노이즈, 지터 및 지연을 개선한 저전력, 저비용의 생체 이식형 디바이스를 위한 CMOS 링 오실레이터에 관한 것이다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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