磁力仪温度误差的径向基神经网络补偿模型

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作   者：

庞鸿锋;  罗飞路;  陈棣湘;  潘孟春;  罗诗途; 

作者机构：

国防科学技术大学机电工程与自动化学院; 

关键词：

刻度因子;  温度误差;  径向基神经网络;  零偏;  磁通门磁力仪;  补偿模型; 

期刊名称：

仪器仪表学报

i s s n：

0254-3087

年卷期：

2012 年 03 期

页   码：

695-700

摘   要：

磁通门磁力仪参数受温度影响明显,直接影响传感器测量精度,需要研究补偿方法,提高测量精度。采用无磁高低温试验箱测量磁通门传感器温度特性;提出基于径向基神经网络的温度误差补偿方法,分别建立磁通门磁力仪零漂误差补偿模型和刻度因子误差补偿模型。结果表明,径向基神经网络能良好逼近磁通门传感器参数的温度特性;与BP神经网络相比,径向基神经网络在零漂补偿中训练时间更短,精度更高,重复性更好,零漂误差的抑制能力更强。补偿后,磁通门磁力仪零漂误差从7.105 5 nT减少到0.766 1 nT;刻度因子误差从6.3E-3减少到7.2E-5;测量值温度误差由213.6 nT补偿到9.1 nT。提出建立通用的温度补偿模型,在不同磁场环境下经过反复测试,采用训练过的模型补偿后,温度误差均降低一个数量级,提高了磁通门磁力仪温度性能和精度。