200mm超薄硅片边缘抛光技术

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作   者：

武永超;  史延爽;  王浩铭;  龚一夫;  张旭;  赵权; 

作者机构：

中国电子科技集团公司第四十六研究所; 

关键词：

边缘抛光;  化学机械抛光（CMP）;  边缘损伤;  边缘粗糙度;  大尺寸超薄硅片; 

期刊名称：

半导体技术

i s s n：

年卷期：

2023 年 003 期

页   码：

213-217

摘   要：

在大尺寸硅片外延加工过程中，边缘损伤极易导致外延层位错的产生。厚度为450μm的超薄硅片因其机械强度较低，在边缘抛光过程中极易导致碎片产生。为此采用化学机械抛光（CMP）对8英寸（1英寸=2.54 cm）超薄硅片进行边缘抛光，通过优化工艺参数改善硅片边缘粗糙度及过抛量，并讨论了边缘抛光前后硅片倒角角度及边缘残余应力的变化。结果表明边缘抛光工序对硅片边缘去除量较小，且仅对边缘损伤层起到去除作用，因此可以有效降低硅片边缘残余应力，而对倒角角度影响较小，有助于获得边缘质量较好的硅片，为后续外延加工打下良好基础。